触媒CVD法におけるW線のブラスト処理による形成速度の向上
■電子情報部 部家彰 高野昌宏 筒口善央 米澤保人 南川俊治
■（株）石川製作所 仁木敏一 室井進 南茂平
■北陸先端技術大学院大学 和泉亮 増田淳 梅本宏信 松村英樹
研究の背景
触媒CVD法は，低温で高品質な薄膜を形成することができる。膜の形成速度を増加させる方法として，触媒体温度や触媒体線長を増加させる方法があるが，試料に対する輻射熱が増加するため，試料を低温に保つことは困難である。
本研究では，試料を低温に保ちつつ，形成速度を増加させるため，触媒体表面をブラスト処理し，原料ガスの分解サイトを増加させることを試みた。
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