低温触媒CVD法による低応力窒化シリコン膜の形成
■機械金属部 高野昌宏
■（株）石川製作所 仁木敏一 室井進
■兵庫県立大 部家彰
■北陸先端大 大薗哲郎 梅本宏信 松村英樹
■電子情報部 米澤保人 南川俊治
■産総研 増田淳
研究の背景
窒化シリコン(SiNx)膜は半導体素子のゲート絶縁膜や有機EL素子の表面保護膜などへの応用が期待されている。Cat-CVD法では，原料ガスにSiH4とNH3を用いて,低温下でSiNx膜の堆積が可能である。しかしながら，SiNx膜は，一般的に高い応力が発生することが知られている。この応力は，膜のクラック，ストレスマイグレーションや有機ELなどの基板の損傷を引き起こす原因となる。
そこで，本研究では，最適なSiNx膜の形成条件を確立することを目的として，応力発生のメカニズムについて調査した。
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