PZT強誘電体キャパシタ用SiNx保護膜の触媒CVD法による低温作製（研究テーマの紹介）

　PZT強誘電体キャパシタ用SiNx保護膜の触媒CVD法による低温作製

　南川俊治・部家彰・米澤保人・藤森敬和・中村孝・増田淳・松村英樹

強誘電体は，電界を取り除いても分極が残る性質があるため，書き換え可能な不揮発メモリの材料として用いられている。そのメモリは，高速，低消費電力等優れた特性を持つことから，実用化され，大容量化が進んでいる。大容量化のためには，低温で高品質窒化シリコン(SiN_x)保護膜の作製が求められている。一方，触媒CVD法(Cat-CVD)は，高温のタングステン線を触媒に用い，300℃程度の低温で良質(緻密、低含有水素量等)なSiN_x膜の作製ができる。しかし，300℃の作製温度では，作製雰囲気中に生じる水素によるPZTの強誘電特性が劣化することが知られている。そのため，Cat-CVD法を用いて基板温度が200℃前後でPZT強誘電体キャパシタ上にSiNx膜の作製を試みた。