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―電子部品の新しいコーティング技術―
強誘電体デバイス用絶縁膜の低温作製技術の開発
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| ■機械電子部 ○南川俊治 部家彰 米澤保人 |
電子デバイスの高集積化，高機能化が進み，半導体プロセスの保護膜，エッチングストッパ膜などとして良質の窒化シリコン(SiNx)膜が期待され，その作製手法として，北陸先端科学技術大学院大学の松村英樹教授がタングステン(W)線を触媒に用いた触媒化学気相成長（Catalytic
chemical vapor deposition :Cat-CVD）法を提案している。そこでCat-CVD法のデバイス製造工程での実証試験を実施するため，松村教授をプロジェクトリーダに企業7社および工業試験場で「Cat-CVD法による半導体デバイス製造プロセス」プロジェクトが実施された。
工業試験場では，近年，電子部品にも取り込まれつつある強誘電体，超伝導体等機能性材料である金属酸化物への適用を目的に，次世代メモリと期待されている強誘電体メモリの材料であるチタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3:PZT)上へのSiNx膜の作製を試みた。
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