EB(Electron Beam)蒸着装置
設置場所
クリーンルーム
用途
金属や半導体化合物を真空中で加熱蒸散させ、半導体素子上に電極を形成したり、薄膜センサを作製するために使用する
性能
EBｶﾞﾝ：1基、抵抗加熱：2基
ｱｰｸﾌﾟﾗｽﾞﾏｶﾞﾝ：1基
試料ｻｲｽﾞ：Φ 4inch
到達圧力：1.3×10
-5
Pa
基板加熱最高温度：650℃
膜厚･真空度計測可能
メーカ・型式
（株）アルバック UEP-4000
備考
「平成１５年度 電力移出県等交付金事業」
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