平成29年度研究外部評価（事前評価）

整理番号	テーマ名	評価点	総合評価
17-P3	新型半導体スイッチによる低損失電圧変換回路の開発	15.0	Ｂ
研究期間	平成30年度～平成31年度（2ヵ年）
研究概要	現状の電子機器に内蔵されている電圧変換回路は、電力損失による発熱が大きく、製品の小型軽量化や高信頼性化に課題がある。本研究は、通電時の抵抗が少ない新型半導体スイッチに着目し、これを用いた低損失の電圧変換回路の開発を目指す。
外部評価委員のコメント
・従来製品と比べて、性能向上が見込めると思います。早期の製品化を期待します。
・電機製品には必ず電源回路が存在するものであり、省電力化が益々厳しく求められてきていることから、取り組むべき必然性は十分あります。
・これからは軽量化、小容積化に有効なSiCやGaNの時代になっていくことは確実です。本研究の成果も期待しています。
・新型半導体スイッチの企業導入を目指して、研究成果を展開してください。
・インバータの小型化によりメリットを定量的に示すことが必要です。目標値の設定は、低すぎると思います。
・差別化をお願いします。
・高機能化、小型化、軽量化が加速し続けている現在、ポイントは、EMCと熱と考えています。電力損失を半分以下およびEMC耐量アップに期待します。